RRQ020P03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RRQ020P03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm

Encapsulados: TSMT6

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RRQ020P03 datasheet

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RRQ020P03

RRQ020P03 Datasheet Pch -30V -2A Middle Power MOSFET lOutline l TSMT6 VDSS -30V RDS(on)(Max.) 160m ID 2A PD 1.25W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power small mold Package (TSMT6). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen

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