RRQ020P03 Todos los transistores

 

RRQ020P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RRQ020P03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT6
 

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RRQ020P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2545K  rohm
 rrq020p03.pdf pdf_icon

RRQ020P03

RRQ020P03DatasheetPch -30V -2A Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT6VDSS-30VRDS(on)(Max.) 160m ID 2A PD1.25W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package (TSMT6).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen

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