Справочник MOSFET. RRQ020P03

 

RRQ020P03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RRQ020P03
   Маркировка: UJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6

 Аналог (замена) для RRQ020P03

 

 

RRQ020P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2545K  rohm
 rrq020p03.pdf

RRQ020P03 RRQ020P03

RRQ020P03DatasheetPch -30V -2A Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT6VDSS-30VRDS(on)(Max.) 160m ID 2A PD1.25W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package (TSMT6).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top