RRQ020P03 - аналоги и даташиты транзистора

 

RRQ020P03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RRQ020P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6
 

 Аналог (замена) для RRQ020P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RRQ020P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2545K  rohm
 rrq020p03.pdf pdf_icon

RRQ020P03

RRQ020P03DatasheetPch -30V -2A Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT6VDSS-30VRDS(on)(Max.) 160m ID 2A PD1.25W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package (TSMT6).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen

Другие MOSFET... RQ6C050UN , RQ6E030AT , RQ6E035AT , RQ6E045BN , RQ6E050AT , RQ6E055BN , RQ6P015SP , RQ7E055AT , IRFP064N , RRS110N03TB1 , RS1E130GN , RS1E150GN , RS1E170GN , RS1E200AH , RS1E200BN , RS1E200GN , RS1E240BN .

History: SPA04N80C3 | RQ6E045BN | RS1E130GN | RS1E200AH | FIR5N80FG

 

 
Back to Top

 


 
.