Справочник MOSFET. RRQ020P03

 

RRQ020P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RRQ020P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RRQ020P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2545K  rohm
 rrq020p03.pdf pdf_icon

RRQ020P03

RRQ020P03DatasheetPch -30V -2A Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT6VDSS-30VRDS(on)(Max.) 160m ID 2A PD1.25W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package (TSMT6).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | DMP22M2UPS-13 | H5N2004DS

 

 
Back to Top

 


 
.