RRQ020P03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RRQ020P03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: TSMT6

Аналог (замена) для RRQ020P03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RRQ020P03 даташит

 ..1. Size:2545K  rohm
 rrq020p03.pdf pdf_icon

RRQ020P03

RRQ020P03 Datasheet Pch -30V -2A Middle Power MOSFET lOutline l TSMT6 VDSS -30V RDS(on)(Max.) 160m ID 2A PD 1.25W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power small mold Package (TSMT6). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen

Другие IGBT... RQ6C050UN, RQ6E030AT, RQ6E035AT, RQ6E045BN, RQ6E050AT, RQ6E055BN, RQ6P015SP, RQ7E055AT, IRFP064N, RRS110N03TB1, RS1E130GN, RS1E150GN, RS1E170GN, RS1E200AH, RS1E200BN, RS1E200GN, RS1E240BN