Справочник MOSFET. RRQ020P03

 

RRQ020P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RRQ020P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TSMT6
 

 Аналог (замена) для RRQ020P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RRQ020P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2545K  rohm
 rrq020p03.pdf pdf_icon

RRQ020P03

RRQ020P03DatasheetPch -30V -2A Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT6VDSS-30VRDS(on)(Max.) 160m ID 2A PD1.25W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package (TSMT6).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen

Другие MOSFET... RQ6C050UN , RQ6E030AT , RQ6E035AT , RQ6E045BN , RQ6E050AT , RQ6E055BN , RQ6P015SP , RQ7E055AT , 5N50 , RRS110N03TB1 , RS1E130GN , RS1E150GN , RS1E170GN , RS1E200AH , RS1E200BN , RS1E200GN , RS1E240BN .

History: FDS4465-NL-9 | 7N10Z | IXTR68P20T | IXTJ4N150 | AM60N10-70P | FJ4B0124 | IPP60R380C6

 

 
Back to Top

 


 
.