RRS110N03TB1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RRS110N03TB1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0126 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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RRS110N03TB1 datasheet

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RRS110N03TB1

RRS110N03 Transistor 4V Drive Nch MOSFET RRS110N03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Applications Each lead has same dimensions Switching Equivalent circuit Packaging specifications (8) (7) (6) (5) (8) (7) (6) (5) Package Tapi

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