RRS110N03TB1 Todos los transistores

 

RRS110N03TB1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RRS110N03TB1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0126 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

 Búsqueda de reemplazo de RRS110N03TB1 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RRS110N03TB1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  rohm
 rrs110n03tb1.pdf pdf_icon

RRS110N03TB1

RRS110N03 Transistor 4V Drive Nch MOSFET RRS110N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Applications Each lead has same dimensionsSwitching Equivalent circuit Packaging specifications (8) (7) (6) (5) (8) (7) (6) (5)Package Tapi

Otros transistores... RQ6E030AT , RQ6E035AT , RQ6E045BN , RQ6E050AT , RQ6E055BN , RQ6P015SP , RQ7E055AT , RRQ020P03 , AO4468 , RS1E130GN , RS1E150GN , RS1E170GN , RS1E200AH , RS1E200BN , RS1E200GN , RS1E240BN , RS1E240GN .

History: RQ3E100MN | RS1E170GN | FDB7030LL86Z | RS1E150GN | FIR40N10LG | FIR40N15LG | FDB8132

 

 
Back to Top

 


 
.