RRS110N03TB1 - описание и поиск аналогов

 

RRS110N03TB1 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RRS110N03TB1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0126 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для RRS110N03TB1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RRS110N03TB1 технические параметры

 ..1. Size:98K  rohm
 rrs110n03tb1.pdf pdf_icon

RRS110N03TB1

RRS110N03 Transistor 4V Drive Nch MOSFET RRS110N03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Applications Each lead has same dimensions Switching Equivalent circuit Packaging specifications (8) (7) (6) (5) (8) (7) (6) (5) Package Tapi

Другие MOSFET... RQ6E030AT , RQ6E035AT , RQ6E045BN , RQ6E050AT , RQ6E055BN , RQ6P015SP , RQ7E055AT , RRQ020P03 , AO4468 , RS1E130GN , RS1E150GN , RS1E170GN , RS1E200AH , RS1E200BN , RS1E200GN , RS1E240BN , RS1E240GN .

 

 
Back to Top

 


 
.