Справочник MOSFET. RRS110N03TB1

 

RRS110N03TB1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RRS110N03TB1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0126 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RRS110N03TB1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  rohm
 rrs110n03tb1.pdf pdf_icon

RRS110N03TB1

RRS110N03 Transistor 4V Drive Nch MOSFET RRS110N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Applications Each lead has same dimensionsSwitching Equivalent circuit Packaging specifications (8) (7) (6) (5) (8) (7) (6) (5)Package Tapi

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IRFB3806PBF

 

 
Back to Top

 


 
.