Справочник MOSFET. RRS110N03TB1

 

RRS110N03TB1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RRS110N03TB1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0126 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для RRS110N03TB1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RRS110N03TB1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:98K  rohm
 rrs110n03tb1.pdf pdf_icon

RRS110N03TB1

RRS110N03 Transistor 4V Drive Nch MOSFET RRS110N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Applications Each lead has same dimensionsSwitching Equivalent circuit Packaging specifications (8) (7) (6) (5) (8) (7) (6) (5)Package Tapi

Другие MOSFET... RQ6E030AT , RQ6E035AT , RQ6E045BN , RQ6E050AT , RQ6E055BN , RQ6P015SP , RQ7E055AT , RRQ020P03 , IRFP064N , RS1E130GN , RS1E150GN , RS1E170GN , RS1E200AH , RS1E200BN , RS1E200GN , RS1E240BN , RS1E240GN .

History: IRF4905S | IRLZ34NSPBF | IRCP244

 

 
Back to Top

 


 
.