RS1E200BN Todos los transistores

 

RS1E200BN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RS1E200BN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSOP8
 

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RS1E200BN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2700K  rohm
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RS1E200BN

RS1E200BNDatasheetNch 30V 20A Middle Power MOSFETlOutlinel HSOP8VDSS30VRDS(on)(Max.) 3.9m ID 20A PD3.0W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package (HSOP8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Fr

 7.1. Size:458K  rohm
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RS1E200BN

RS1E200GN Nch 30V 20A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS30VHSOP8RDS(on) at 10V (Max.)4.6mWRDS(on) at 4.5V (Max.)6.1mWID20APD3.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant(4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free*1 BODY D

 7.2. Size:1169K  rohm
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RS1E200BN

RS1E200AHDatasheetNch 30V 20A Power MOSFETlOutlinel HSOP8VDSS30VRDS(on)(Max.) 5.2m ID 20A PD3W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power Package (HSOP8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.5) 100% Rg and

 9.1. Size:2699K  rohm
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RS1E200BN

RS1E280BNDatasheetNch 30V 28A Middle Power MOSFETlOutlinel HSOP8VDSS30VRDS(on)(Max.) 2.3m ID 28A PD3W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package (HSOP8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free

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History: CS110N03A3 | STL22N65M5

 

 
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