Справочник MOSFET. RS1E200BN

 

RS1E200BN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RS1E200BN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
   Тип корпуса: HSOP8

 Аналог (замена) для RS1E200BN

 

 

RS1E200BN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2700K  rohm
 rs1e200bn.pdf

RS1E200BN RS1E200BN

RS1E200BNDatasheetNch 30V 20A Middle Power MOSFETlOutlinel HSOP8VDSS30VRDS(on)(Max.) 3.9m ID 20A PD3.0W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package (HSOP8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Fr

 7.1. Size:458K  rohm
 rs1e200gn.pdf

RS1E200BN RS1E200BN

RS1E200GN Nch 30V 20A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS30VHSOP8RDS(on) at 10V (Max.)4.6mWRDS(on) at 4.5V (Max.)6.1mWID20APD3.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant(4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free*1 BODY D

 7.2. Size:1169K  rohm
 rs1e200ah.pdf

RS1E200BN RS1E200BN

RS1E200AHDatasheetNch 30V 20A Power MOSFETlOutlinel HSOP8VDSS30VRDS(on)(Max.) 5.2m ID 20A PD3W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power Package (HSOP8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.5) 100% Rg and

 9.1. Size:2699K  rohm
 rs1e280bn.pdf

RS1E200BN RS1E200BN

RS1E280BNDatasheetNch 30V 28A Middle Power MOSFETlOutlinel HSOP8VDSS30VRDS(on)(Max.) 2.3m ID 28A PD3W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package (HSOP8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free

 9.2. Size:476K  rohm
 rs1e280gn.pdf

RS1E200BN RS1E200BN

RS1E280GN Nch 30V 28A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS30VHSOP8RDS(on) at 10V (Max.)2.6mWRDS(on) at 4.5V (Max.)3.3mWID28APD3.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant(4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free*1 BODY D

 9.3. Size:474K  rohm
 rs1e240gn.pdf

RS1E200BN RS1E200BN

RS1E240GN Nch 30V 24A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS30VHSOP8RDS(on) at 10V (Max.)3.3mWRDS(on) at 4.5V (Max.)4.4mWID24APD3.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Package (HSOP8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant(4) Gate (8) Drain 4) Halogen Free*1 BODY D

 9.4. Size:2732K  rohm
 rs1e240bn.pdf

RS1E200BN RS1E200BN

RS1E240BNDatasheetNch 30V 24A Middle Power MOSFETlOutlinel HSOP8VDSS30VRDS(on)(Max.) 3.2m ID 24A PD3W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power small mold Package (HSOP8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

 

 
Back to Top