RS1G260MN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RS1G260MN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 662 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm

Encapsulados: HSOP8

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RS1G260MN datasheet

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RS1G260MN

RS1G260MN Nch 40V 26A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 40V (8) HSOP8 (7) (6) RDS(on) at 10V (Max.) 3.3mW (5) RDS(on) at 4.5V (Max.) 4.4mW (1) ID 26A (2) (3) (4) PD 3.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HSOP8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS

Otros transistores... RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E300GN, RS1E320GN, RS1E350BN, RS1G120MN, RS1G150MN, RS1G180MN, IRFP260N, RS1G300GN, RS3E075AT, RSD046P05, RSD046P05FRA, RSD050N06FRA, RSD050N06TL, RSD050N10FRA, RSD080N06FRA