Справочник MOSFET. RS1G260MN

 

RS1G260MN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RS1G260MN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 662 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: HSOP8
 

 Аналог (замена) для RS1G260MN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RS1G260MN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:543K  rohm
 rs1g260mn.pdf pdf_icon

RS1G260MN

RS1G260MN Nch 40V 26A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS40V(8) HSOP8(7) (6) RDS(on) at 10V (Max.)3.3mW(5) RDS(on) at 4.5V (Max.)4.4mW(1) ID26A (2) (3) (4) PD3.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HSOP8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS

Другие MOSFET... RS1E280BN , RS1E280GN , RS1E300GN , RS1E320GN , RS1E350BN , RS1G120MN , RS1G150MN , RS1G180MN , 10N60 , RS1G300GN , RS3E075AT , RSD046P05 , RSD046P05FRA , RSD050N06FRA , RSD050N06TL , RSD050N10FRA , RSD080N06FRA .

History: MMBFJ111 | STP30NF20 | CMPDM7002AE

 

 
Back to Top

 


 
.