RS1G260MN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RS1G260MN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 662 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm

Тип корпуса: HSOP8

Аналог (замена) для RS1G260MN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RS1G260MN даташит

 ..1. Size:543K  rohm
 rs1g260mn.pdf pdf_icon

RS1G260MN

RS1G260MN Nch 40V 26A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 40V (8) HSOP8 (7) (6) RDS(on) at 10V (Max.) 3.3mW (5) RDS(on) at 4.5V (Max.) 4.4mW (1) ID 26A (2) (3) (4) PD 3.0W lFeatures lInner circuit 1) Low on - resistance. (1) Source (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HSOP8). (2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS

Другие IGBT... RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E300GN, RS1E320GN, RS1E350BN, RS1G120MN, RS1G150MN, RS1G180MN, IRFP260N, RS1G300GN, RS3E075AT, RSD046P05, RSD046P05FRA, RSD050N06FRA, RSD050N06TL, RSD050N10FRA, RSD080N06FRA