Справочник MOSFET. RS1G260MN

 

RS1G260MN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RS1G260MN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 44 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 662 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: HSOP8

 Аналог (замена) для RS1G260MN

 

 

RS1G260MN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:543K  rohm
 rs1g260mn.pdf

RS1G260MN RS1G260MN

RS1G260MN Nch 40V 26A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS40V(8) HSOP8(7) (6) RDS(on) at 10V (Max.)3.3mW(5) RDS(on) at 4.5V (Max.)4.4mW(1) ID26A (2) (3) (4) PD3.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HSOP8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top