Справочник MOSFET. RS1G260MN

 

RS1G260MN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RS1G260MN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 662 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: HSOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RS1G260MN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:543K  rohm
 rs1g260mn.pdf pdf_icon

RS1G260MN

RS1G260MN Nch 40V 26A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS40V(8) HSOP8(7) (6) RDS(on) at 10V (Max.)3.3mW(5) RDS(on) at 4.5V (Max.)4.4mW(1) ID26A (2) (3) (4) PD3.0WlFeatures lInner circuit1) Low on - resistance.(1) Source (5) Drain 2) High Power Small Mold Package (HSOP8).(2) Source (6) Drain (3) Source (7) Drain 3) Pb-free lead plating ; RoHS

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: PHP45N03LT

 

 
Back to Top

 


 
.