RS1G300GN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RS1G300GN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 3 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 30 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 28.6 nC

Tiempo de elevación (tr): 19.8 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 680 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0025 Ohm

Empaquetado / Estuche: HSOP8

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RS1G300GN Datasheet (PDF)

1.1. rs1g300gn.pdf Size:1669K _update_mosfet

RS1G300GN Datasheet 　　Nch 40V 30A Power MOSFET 　　 lOutline l 　　　　　　 HSOP8 VDSS 40V 　 RDS(on)(Max.) 2.5mΩ 　　 ID ±30A 　　 PD 3W 　　　　　　　　　　　　 lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power Package (HSOP8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. 5) 100% Rg and

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Liste

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