RS1G300GN Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RS1G300GN  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm

Encapsulados: HSOP8

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RS1G300GN datasheet

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RS1G300GN

RS1G300GN Datasheet Nch 40V 30A Power MOSFET lOutline l HSOP8 VDSS 40V RDS(on)(Max.) 2.5m ID 30A PD 3W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power Package (HSOP8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. 5) 100% Rg and

Otros transistores... RS1E280GN, RS1E300GN, RS1E320GN, RS1E350BN, RS1G120MN, RS1G150MN, RS1G180MN, RS1G260MN, IRF640N, RS3E075AT, RSD046P05, RSD046P05FRA, RSD050N06FRA, RSD050N06TL, RSD050N10FRA, RSD080N06FRA, RSD080P05FRA