RS1G300GN Todos los transistores

 

RS1G300GN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RS1G300GN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de RS1G300GN MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RS1G300GN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1669K  rohm
 rs1g300gn.pdf pdf_icon

RS1G300GN

RS1G300GNDatasheetNch 40V 30A Power MOSFETlOutlinel HSOP8VDSS40VRDS(on)(Max.) 2.5m ID 30A PD3W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power Package (HSOP8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.5) 100% Rg and

Otros transistores... RS1E280GN , RS1E300GN , RS1E320GN , RS1E350BN , RS1G120MN , RS1G150MN , RS1G180MN , RS1G260MN , IRF3710 , RS3E075AT , RSD046P05 , RSD046P05FRA , RSD050N06FRA , RSD050N06TL , RSD050N10FRA , RSD080N06FRA , RSD080P05FRA .

History: 2SJ79 | BLS70R600-A | US6M1 | BUZ906P | RJJ0601JPN | OSG55R190PF | HY1707I

 

 
Back to Top

 


 
.