RS1G300GN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RS1G300GN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 3 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 30 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V
Carga de compuerta (Qg): 28.6 nC
Tiempo de elevación (tr): 19.8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 680 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0025 Ohm
Empaquetado / Estuche: HSOP8
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RS1G300GN Datasheet (PDF)
1.1. rs1g300gn.pdf 
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RS1G300GN Datasheet Nch 40V 30A Power MOSFET lOutline l HSOP8 VDSS 40V RDS(on)(Max.) 2.5mΩ ID ±30A PD 3W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power Package (HSOP8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. 5) 100% Rg and
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