RS1G300GN Todos los transistores

 

RS1G300GN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RS1G300GN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSOP8
 

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RS1G300GN datasheet

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RS1G300GN

RS1G300GN Datasheet Nch 40V 30A Power MOSFET lOutline l HSOP8 VDSS 40V RDS(on)(Max.) 2.5m ID 30A PD 3W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power Package (HSOP8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. 5) 100% Rg and

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History: APT60M60JLL

 

 
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