RS1G300GN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RS1G300GN
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
Paquete / Cubierta: HSOP8
Búsqueda de reemplazo de RS1G300GN MOSFET
RS1G300GN Datasheet (PDF)
rs1g300gn.pdf

RS1G300GNDatasheetNch 40V 30A Power MOSFETlOutlinel HSOP8VDSS40VRDS(on)(Max.) 2.5m ID 30A PD3W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power Package (HSOP8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.5) 100% Rg and
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History: EFC6604R | JCS7N70C | 2SK2228 | SWP8N65D | IXTJ6N150 | SSM3K329R | AP4434AGYT-HF
History: EFC6604R | JCS7N70C | 2SK2228 | SWP8N65D | IXTJ6N150 | SSM3K329R | AP4434AGYT-HF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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