RS1G300GN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RS1G300GN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: HSOP8

Аналог (замена) для RS1G300GN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RS1G300GN даташит

 ..1. Size:1669K  rohm
 rs1g300gn.pdf pdf_icon

RS1G300GN

RS1G300GN Datasheet Nch 40V 30A Power MOSFET lOutline l HSOP8 VDSS 40V RDS(on)(Max.) 2.5m ID 30A PD 3W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) High Power Package (HSOP8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. 5) 100% Rg and

Другие IGBT... RS1E280GN, RS1E300GN, RS1E320GN, RS1E350BN, RS1G120MN, RS1G150MN, RS1G180MN, RS1G260MN, AO3400, RS3E075AT, RSD046P05, RSD046P05FRA, RSD050N06FRA, RSD050N06TL, RSD050N10FRA, RSD080N06FRA, RSD080P05FRA