RS1G300GN - аналоги и даташиты транзистора

 

RS1G300GN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RS1G300GN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: HSOP8
 

 Аналог (замена) для RS1G300GN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RS1G300GN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1669K  rohm
 rs1g300gn.pdf pdf_icon

RS1G300GN

RS1G300GNDatasheetNch 40V 30A Power MOSFETlOutlinel HSOP8VDSS40VRDS(on)(Max.) 2.5m ID 30A PD3W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) High Power Package (HSOP8).3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.5) 100% Rg and

Другие MOSFET... RS1E280GN , RS1E300GN , RS1E320GN , RS1E350BN , RS1G120MN , RS1G150MN , RS1G180MN , RS1G260MN , IRFB4227 , RS3E075AT , RSD046P05 , RSD046P05FRA , RSD050N06FRA , RSD050N06TL , RSD050N10FRA , RSD080N06FRA , RSD080P05FRA .

History: IRF7353D2PBF | FD120N10ZR | P2610BD

 

 
Back to Top

 


 
.