RSD131P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RSD131P10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-63
RSD131P10 Datasheet (PDF)
rsd131p10.pdf
RSD131P10 Pch 100V 13A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS-100V CPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)200mWID-13A(2) (1) (3) PD20WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. (1) Gate (2) Drain 3) Drive circuits can be simple.(3) Source 4) Parallel use is easy.*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ;
rsd131p10fra.pdf
RSD131P10FRA Pch 100V 13A Power MOSFET DatasheetAEC-Q101 QualifiedlOutlineVDSS-100V CPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)200mWID-13A(2) (1) (3) PD20WlFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. (1) Gate (2) Drain 3) Drive circuits can be simple.(3) Source 4) Parallel use is easy.*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5)
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History: SSB80R160SFD
History: SSB80R160SFD
Liste
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