RSD131P10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSD131P10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: SC-63

Аналог (замена) для RSD131P10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD131P10 даташит

 ..1. Size:454K  rohm
 rsd131p10.pdf pdf_icon

RSD131P10

RSD131P10 Pch 100V 13A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS -100V CPT3 (SC-63) RDS(on) (Max.) 200mW ID -13A (2) (1) (3) PD 20W lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. (1) Gate (2) Drain 3) Drive circuits can be simple. (3) Source 4) Parallel use is easy. *1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ;

 0.1. Size:455K  rohm
 rsd131p10fra.pdf pdf_icon

RSD131P10

RSD131P10FRA Pch 100V 13A Power MOSFET Datasheet AEC-Q101 Qualified lOutline VDSS -100V CPT3 (SC-63) RDS(on) (Max.) 200mW ID -13A (2) (1) (3) PD 20W lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. (1) Gate (2) Drain 3) Drive circuits can be simple. (3) Source 4) Parallel use is easy. *1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5)

Другие IGBT... RSD046P05, RSD046P05FRA, RSD050N06FRA, RSD050N06TL, RSD050N10FRA, RSD080N06FRA, RSD080P05FRA, RSD100N10FRA, IRFP250N, RSD131P10FRA, RSD140P06FRA, RSD150N06FRA, RSD160P05FRA, RSD175N10FRA, RSD200N10TL, RSD201N10, RSD201N10FRA