RSD150N06FRA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSD150N06FRA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 20 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V

Carga de compuerta (Qg): 18 nC

Tiempo de elevación (tr): 30 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 200 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.04 Ohm

Empaquetado / Estuche: SC-63

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RSD150N06FRA

RSD150N06FRA Datasheet (PDF)

1.1. rsd150n06fra.pdf Size:1006K _update_mosfet

Data Sheet AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch MOSFET RSD150N06FRA Structure  Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 (SC-63) Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. Applications Switching Packaging spec

1.2. rsd150n06.pdf Size:1164K _rohm

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RSD150N06 ?Structure ? Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 (SC-63) ?Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ?Applications Switching ?Packaging specifications ? Inner circuit Package

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Liste

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