Справочник MOSFET. RSD150N06FRA

 

RSD150N06FRA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSD150N06FRA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SC-63
 

 Аналог (замена) для RSD150N06FRA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD150N06FRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1006K  rohm
 rsd150n06fra.pdf pdf_icon

RSD150N06FRA

Data SheetAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOSFET RSD150N06FRAStructure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ApplicationsSwitchingPackaging spec

 5.1. Size:1164K  rohm
 rsd150n06.pdf pdf_icon

RSD150N06FRA

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSD150N06Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ApplicationsSwitchingPackaging specifications Inner ci

Другие MOSFET... RSD050N06TL , RSD050N10FRA , RSD080N06FRA , RSD080P05FRA , RSD100N10FRA , RSD131P10 , RSD131P10FRA , RSD140P06FRA , 2N7000 , RSD160P05FRA , RSD175N10FRA , RSD200N10TL , RSD201N10 , RSD201N10FRA , RSD221N06 , RSD221N06FRA , RSE002P03TL .

History: SM6512D1RL | IRFS350 | APT50M60L2VRG | 1N60L-AB3-R | LSB60R030HT | PHW7N60 | CEU12N10L

 

 
Back to Top

 


 
.