RSD160P05FRA Todos los transistores

 

RSD160P05FRA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RSD160P05FRA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-63
 

 Búsqueda de reemplazo de RSD160P05FRA MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RSD160P05FRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1392K  rohm
 rsd160p05fra.pdf pdf_icon

RSD160P05FRA

Data SheetAEC-Q101 Qualified4V Drive Pch MOSFET RSD160P05RSD160P05FRAStructure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Pack

 5.1. Size:1211K  rohm
 rsd160p05.pdf pdf_icon

RSD160P05FRA

Data Sheet4V Drive Pch MOSFET RSD160P05Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Packaging specifications Inner cir

Otros transistores... RSD050N10FRA , RSD080N06FRA , RSD080P05FRA , RSD100N10FRA , RSD131P10 , RSD131P10FRA , RSD140P06FRA , RSD150N06FRA , IRFP260 , RSD175N10FRA , RSD200N10TL , RSD201N10 , RSD201N10FRA , RSD221N06 , RSD221N06FRA , RSE002P03TL , RSF010P03TL .

History: SUD50P04-13L | NVTFS5124PL | AP4434GM | IXFR80N60P3 | DH8004 | FQD12N20TM | AP9467AGM-HF

 

 
Back to Top

 


 
.