RSD160P05FRA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RSD160P05FRA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 20 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 45 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 16 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 16 nC
Tiempo de subida (tr): 22 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 250 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: SC-63
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RSD160P05FRA
RSD160P05FRA Datasheet (PDF)
rsd160p05fra.pdf
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History: QM4803D
