Справочник MOSFET. RSD160P05FRA

 

RSD160P05FRA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSD160P05FRA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SC-63
 

 Аналог (замена) для RSD160P05FRA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD160P05FRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1392K  rohm
 rsd160p05fra.pdf pdf_icon

RSD160P05FRA

Data SheetAEC-Q101 Qualified4V Drive Pch MOSFET RSD160P05RSD160P05FRAStructure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Pack

 5.1. Size:1211K  rohm
 rsd160p05.pdf pdf_icon

RSD160P05FRA

Data Sheet4V Drive Pch MOSFET RSD160P05Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFETCPT3 (SC-63) Features1) Low on-resistance.2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. ApplicationSwitching Packaging specifications Inner cir

Другие MOSFET... RSD050N10FRA , RSD080N06FRA , RSD080P05FRA , RSD100N10FRA , RSD131P10 , RSD131P10FRA , RSD140P06FRA , RSD150N06FRA , IRFP260 , RSD175N10FRA , RSD200N10TL , RSD201N10 , RSD201N10FRA , RSD221N06 , RSD221N06FRA , RSE002P03TL , RSF010P03TL .

History: QM6007S | TPCA8A09-H | LSD50R160HT | DMG3413L | TF68N80 | STL9N60M2 | IPB083N10N3G

 

 
Back to Top

 


 
.