RSD160P05FRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSD160P05FRA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SC-63

Аналог (замена) для RSD160P05FRA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD160P05FRA даташит

 ..1. Size:1392K  rohm
 rsd160p05fra.pdf pdf_icon

RSD160P05FRA

Data Sheet AEC-Q101 Qualified 4V Drive Pch MOSFET RSD160P05 RSD160P05FRA Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET CPT3 (SC-63) Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. Application Switching Pack

 5.1. Size:1211K  rohm
 rsd160p05.pdf pdf_icon

RSD160P05FRA

Data Sheet 4V Drive Pch MOSFET RSD160P05 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET CPT3 (SC-63) Features 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Drive circuits can be simple. 9 4) Parallel use is easy. Application Switching Packaging specifications Inner cir

Другие IGBT... RSD050N10FRA, RSD080N06FRA, RSD080P05FRA, RSD100N10FRA, RSD131P10, RSD131P10FRA, RSD140P06FRA, RSD150N06FRA, 2SK3878, RSD175N10FRA, RSD200N10TL, RSD201N10, RSD201N10FRA, RSD221N06, RSD221N06FRA, RSE002P03TL, RSF010P03TL