RSD175N10FRA Todos los transistores

 

RSD175N10FRA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RSD175N10FRA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-63
 

 Búsqueda de reemplazo de RSD175N10FRA MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RSD175N10FRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1354K  rohm
 rsd175n10fra.pdf pdf_icon

RSD175N10FRA

Data SheetAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOSFET RSD175N10RSD175N10FRA Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.4) 4V drive.0.754) High power package.0.650.9 2.3(1) (2) (3)2.3 0.51.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit1

 5.1. Size:1159K  rohm
 rsd175n10.pdf pdf_icon

RSD175N10FRA

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSD175N10 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.4) 4V drive.0.754) High power package.0.650.9 2.3(1) (2) (3)2.3 0.51.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit1Package TapingTypeCode TLBas

Otros transistores... RSD080N06FRA , RSD080P05FRA , RSD100N10FRA , RSD131P10 , RSD131P10FRA , RSD140P06FRA , RSD150N06FRA , RSD160P05FRA , 12N60 , RSD200N10TL , RSD201N10 , RSD201N10FRA , RSD221N06 , RSD221N06FRA , RSE002P03TL , RSF010P03TL , RSF014N03TL .

History: IPD053N06N

 

 
Back to Top

 


 
.