Справочник MOSFET. RSD175N10FRA

 

RSD175N10FRA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSD175N10FRA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: SC-63
 

 Аналог (замена) для RSD175N10FRA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD175N10FRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1354K  rohm
 rsd175n10fra.pdf pdf_icon

RSD175N10FRA

Data SheetAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch MOSFET RSD175N10RSD175N10FRA Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.4) 4V drive.0.754) High power package.0.650.9 2.3(1) (2) (3)2.3 0.51.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit1

 5.1. Size:1159K  rohm
 rsd175n10.pdf pdf_icon

RSD175N10FRA

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSD175N10 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETCPT36.5(SC-63)5.12.30.5Features1) Low on-resistance.4) 4V drive.0.754) High power package.0.650.9 2.3(1) (2) (3)2.3 0.51.0 ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit1Package TapingTypeCode TLBas

Другие MOSFET... RSD080N06FRA , RSD080P05FRA , RSD100N10FRA , RSD131P10 , RSD131P10FRA , RSD140P06FRA , RSD150N06FRA , RSD160P05FRA , 12N60 , RSD200N10TL , RSD201N10 , RSD201N10FRA , RSD221N06 , RSD221N06FRA , RSE002P03TL , RSF010P03TL , RSF014N03TL .

History: TPC8224-H | ME4542-G | AUIRFS4620 | F3055L-TO252 | SVG104R0NS | RQ3E120GN | 1N60L-TM3-T

 

 
Back to Top

 


 
.