RSD175N10FRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSD175N10FRA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: SC-63

Аналог (замена) для RSD175N10FRA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD175N10FRA даташит

 ..1. Size:1354K  rohm
 rsd175n10fra.pdf pdf_icon

RSD175N10FRA

Data Sheet AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch MOSFET RSD175N10 RSD175N10FRA Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 6.5 (SC-63) 5.1 2.3 0.5 Features 1) Low on-resistance. 4) 4V drive. 0.75 4) High power package. 0.65 0.9 2.3 (1) (2) (3) 2.3 0.5 1.0 Application Switching Packaging specifications Inner circuit 1

 5.1. Size:1159K  rohm
 rsd175n10.pdf pdf_icon

RSD175N10FRA

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RSD175N10 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET CPT3 6.5 (SC-63) 5.1 2.3 0.5 Features 1) Low on-resistance. 4) 4V drive. 0.75 4) High power package. 0.65 0.9 2.3 (1) (2) (3) 2.3 0.5 1.0 Application Switching Packaging specifications Inner circuit 1 Package Taping Type Code TL Bas

Другие IGBT... RSD080N06FRA, RSD080P05FRA, RSD100N10FRA, RSD131P10, RSD131P10FRA, RSD140P06FRA, RSD150N06FRA, RSD160P05FRA, STP75NF75, RSD200N10TL, RSD201N10, RSD201N10FRA, RSD221N06, RSD221N06FRA, RSE002P03TL, RSF010P03TL, RSF014N03TL