RSD221N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RSD221N06
   Código: 221N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-63

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RSD221N06

RSD221N06 Datasheet (PDF)

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rsd221n06.pdf

RSD221N06 Nch 60V 22A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS60V CPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)26mW(3) ID22A(2) (1) PD20WlFeatures lInner circuit(3) 1) Low on-resistance.(1) Gate *1 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source (1) 3) Drive circuits can be simple.*2 *1 ESD PROTECTION DIODE 4) Parallel use is easy.*2 BODY DIODE 5) Pb-free

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rsd221n06fra.pdf

RSD221N06FRA Nch 60V 22A Power MOSFET DatasheetAEC-Q101 QualifiedlOutlineVDSS60V CPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)26mW(3) ID22A(2) (1) PD20WlFeatures lInner circuit(3) 1) Low on-resistance.(1) Gate *1 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source (1) 3) Drive circuits can be simple.*2 *1 ESD PROTECTION DIODE 4) Parallel use is easy.*2

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Liste

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