RSD221N06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSD221N06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm

Encapsulados: SC-63

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RSD221N06 datasheet

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RSD221N06

RSD221N06 Nch 60V 22A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS 60V CPT3 (SC-63) RDS(on) (Max.) 26mW (3) ID 22A (2) (1) PD 20W lFeatures lInner circuit (3) 1) Low on-resistance. (1) Gate *1 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source (1) 3) Drive circuits can be simple. *2 *1 ESD PROTECTION DIODE 4) Parallel use is easy. *2 BODY DIODE 5) Pb-free

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RSD221N06

RSD221N06FRA Nch 60V 22A Power MOSFET Datasheet AEC-Q101 Qualified lOutline VDSS 60V CPT3 (SC-63) RDS(on) (Max.) 26mW (3) ID 22A (2) (1) PD 20W lFeatures lInner circuit (3) 1) Low on-resistance. (1) Gate *1 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source (1) 3) Drive circuits can be simple. *2 *1 ESD PROTECTION DIODE 4) Parallel use is easy. *2

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