Справочник MOSFET. RSD221N06

 

RSD221N06 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RSD221N06
   Маркировка: 221N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: SC-63

 Аналог (замена) для RSD221N06

 

 

RSD221N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:366K  rohm
 rsd221n06.pdf

RSD221N06 RSD221N06

RSD221N06 Nch 60V 22A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS60V CPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)26mW(3) ID22A(2) (1) PD20WlFeatures lInner circuit(3) 1) Low on-resistance.(1) Gate *1 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source (1) 3) Drive circuits can be simple.*2 *1 ESD PROTECTION DIODE 4) Parallel use is easy.*2 BODY DIODE 5) Pb-free

 0.1. Size:891K  rohm
 rsd221n06fra.pdf

RSD221N06 RSD221N06

RSD221N06FRA Nch 60V 22A Power MOSFET DatasheetAEC-Q101 QualifiedlOutlineVDSS60V CPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)26mW(3) ID22A(2) (1) PD20WlFeatures lInner circuit(3) 1) Low on-resistance.(1) Gate *1 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source (1) 3) Drive circuits can be simple.*2 *1 ESD PROTECTION DIODE 4) Parallel use is easy.*2

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top