RSD221N06 - аналоги и даташиты транзистора

 

RSD221N06 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: RSD221N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: SC-63
 

 Аналог (замена) для RSD221N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSD221N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:366K  rohm
 rsd221n06.pdf pdf_icon

RSD221N06

RSD221N06 Nch 60V 22A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS60V CPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)26mW(3) ID22A(2) (1) PD20WlFeatures lInner circuit(3) 1) Low on-resistance.(1) Gate *1 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source (1) 3) Drive circuits can be simple.*2 *1 ESD PROTECTION DIODE 4) Parallel use is easy.*2 BODY DIODE 5) Pb-free

 0.1. Size:891K  rohm
 rsd221n06fra.pdf pdf_icon

RSD221N06

RSD221N06FRA Nch 60V 22A Power MOSFET DatasheetAEC-Q101 QualifiedlOutlineVDSS60V CPT3(SC-63)RDS(on) (Max.)26mW(3) ID22A(2) (1) PD20WlFeatures lInner circuit(3) 1) Low on-resistance.(1) Gate *1 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source (1) 3) Drive circuits can be simple.*2 *1 ESD PROTECTION DIODE 4) Parallel use is easy.*2

Другие MOSFET... RSD131P10FRA , RSD140P06FRA , RSD150N06FRA , RSD160P05FRA , RSD175N10FRA , RSD200N10TL , RSD201N10 , RSD201N10FRA , 5N60 , RSD221N06FRA , RSE002P03TL , RSF010P03TL , RSF014N03TL , RSH065N03TB1 , RSH065N06TB1 , RSH070N05TB1 , RSH070P05TB1 .

History: RSH090N03TB1 | IPD04N03LBG | IRFS4310ZPBF | RSD200N10TL | AM4936N

 

 
Back to Top

 


 
.