RSH100N03TB1 Todos los transistores

 

RSH100N03TB1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RSH100N03TB1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0133 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8
 

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RSH100N03TB1 Datasheet (PDF)

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RSH100N03TB1

4V Drive Nch MOSFET RSH100N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Application Power switching, DC / DC converter. Each lead has same dimensionsPackaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) (8) (7) (6) (5)Package

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History: PF608BA | AP05N20GJ-HF | STN1NK80Z | IRFS832 | ZXMP6A13F | 2SJ227 | ELM16400EA

 

 
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