RSH100N03TB1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSH100N03TB1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0133 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для RSH100N03TB1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSH100N03TB1 даташит

 ..1. Size:166K  rohm
 rsh100n03tb1.pdf pdf_icon

RSH100N03TB1

4V Drive Nch MOSFET RSH100N03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8 Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Application Power switching, DC / DC converter. Each lead has same dimensions Packaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) (8) (7) (6) (5) Package

Другие IGBT... RSE002P03TL, RSF010P03TL, RSF014N03TL, RSH065N03TB1, RSH065N06TB1, RSH070N05TB1, RSH070P05TB1, RSH090N03TB1, 12N60, RSH110N03TB1, RSJ151P10, RSJ400N06FRA, RSJ400N10, RSL020P03FRA, RSL020P03TR, RSM002P03T2L, RSM5853P