Справочник MOSFET. RSH100N03TB1

 

RSH100N03TB1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSH100N03TB1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0133 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для RSH100N03TB1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSH100N03TB1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  rohm
 rsh100n03tb1.pdf pdf_icon

RSH100N03TB1

4V Drive Nch MOSFET RSH100N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Application Power switching, DC / DC converter. Each lead has same dimensionsPackaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) (8) (7) (6) (5)Package

Другие MOSFET... RSE002P03TL , RSF010P03TL , RSF014N03TL , RSH065N03TB1 , RSH065N06TB1 , RSH070N05TB1 , RSH070P05TB1 , RSH090N03TB1 , 4N60 , RSH110N03TB1 , RSJ151P10 , RSJ400N06FRA , RSJ400N10 , RSL020P03FRA , RSL020P03TR , RSM002P03T2L , RSM5853P .

History: PSMN3R7-25YLC | 11NM70G-TF1-T

 

 
Back to Top

 


 
.