Справочник MOSFET. RSH100N03TB1

 

RSH100N03TB1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSH100N03TB1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0133 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RSH100N03TB1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  rohm
 rsh100n03tb1.pdf pdf_icon

RSH100N03TB1

4V Drive Nch MOSFET RSH100N03 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (SOP8). Application Power switching, DC / DC converter. Each lead has same dimensionsPackaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) (8) (7) (6) (5)Package

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IRL2505SPBF | 2SK4067I | STB6NK60Z | SFB030N85C3 | AFN3484 | 2SK3435-S | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.