RSJ151P10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSJ151P10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: SC-83

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RSJ151P10 datasheet

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RSJ151P10

RSJ151P10 Pch 100V 15A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS -100V LPTS (SC-83) RDS(on) (Max.) 120mW ID -15A (1) (2) PD 50W (3) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple. 4) Parallel use is easy. *1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compli

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