RSJ151P10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSJ151P10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: SC-83

Аналог (замена) для RSJ151P10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSJ151P10 даташит

 ..1. Size:460K  rohm
 rsj151p10.pdf pdf_icon

RSJ151P10

RSJ151P10 Pch 100V 15A Power MOSFET Datasheet lOutline VDSS -100V LPTS (SC-83) RDS(on) (Max.) 120mW ID -15A (1) (2) PD 50W (3) lFeatures lInner circuit 1) Low on-resistance. (1) Gate 2) Fast switching speed. (2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple. 4) Parallel use is easy. *1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compli

Другие IGBT... RSF014N03TL, RSH065N03TB1, RSH065N06TB1, RSH070N05TB1, RSH070P05TB1, RSH090N03TB1, RSH100N03TB1, RSH110N03TB1, IRF1010E, RSJ400N06FRA, RSJ400N10, RSL020P03FRA, RSL020P03TR, RSM002P03T2L, RSM5853P, RSQ015N06TR, RSQ020N03FRA