Справочник MOSFET. RSJ151P10

 

RSJ151P10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSJ151P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SC-83
 

 Аналог (замена) для RSJ151P10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSJ151P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:460K  rohm
 rsj151p10.pdf pdf_icon

RSJ151P10

RSJ151P10 Pch 100V 15A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS-100VLPTS(SC-83)RDS(on) (Max.)120mWID-15A(1) (2) PD50W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple.4) Parallel use is easy.*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compli

Другие MOSFET... RSF014N03TL , RSH065N03TB1 , RSH065N06TB1 , RSH070N05TB1 , RSH070P05TB1 , RSH090N03TB1 , RSH100N03TB1 , RSH110N03TB1 , IRF530 , RSJ400N06FRA , RSJ400N10 , RSL020P03FRA , RSL020P03TR , RSM002P03T2L , RSM5853P , RSQ015N06TR , RSQ020N03FRA .

History: UF830KL-TA3-T

 

 
Back to Top

 


 
.