Справочник MOSFET. RSJ151P10

 

RSJ151P10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSJ151P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SC-83
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RSJ151P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:460K  rohm
 rsj151p10.pdf pdf_icon

RSJ151P10

RSJ151P10 Pch 100V 15A Power MOSFET DatasheetlOutlineVDSS-100VLPTS(SC-83)RDS(on) (Max.)120mWID-15A(1) (2) PD50W(3) lFeatures lInner circuit1) Low on-resistance.(1) Gate 2) Fast switching speed.(2) Drain (3) Source 3) Drive circuits can be simple.4) Parallel use is easy.*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BODY DIODE 5) Pb-free lead plating ; RoHS compli

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NCEP058N85 | RQ3E130MN | APT10050LVFR | IXTA60N20T | STM8300 | SI1402DH | IRFP150FI

 

 
Back to Top

 


 
.