RSL020P03FRA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSL020P03FRA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: TUMT6

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RSL020P03FRA datasheet

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RSL020P03FRA

RSL020P03FRA RSL020P03 Transistors AEC-Q101 Qualified 4V Drive Pch MOSFET RSL020P03FRA RSL020P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) High speed switching. Applications Abbreviated symbol SL Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TR Basic ordering unit (pi

 5.1. Size:340K  rohm
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RSL020P03FRA

RSL020P03 Transistors 4V Drive Pch MOS FET RSL020P03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET TUMT6 2.0 0.85Max. 1.3 0.77 0.65 0.65 Features (6) (5) (4) 1) Low On-resistance. 0 0.1 2) High speed switching. (1) (2) (3) 0.17 0.3 Applications Abbreviated symbol SL Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) P

Otros transistores... RSH070N05TB1, RSH070P05TB1, RSH090N03TB1, RSH100N03TB1, RSH110N03TB1, RSJ151P10, RSJ400N06FRA, RSJ400N10, IRF530, RSL020P03TR, RSM002P03T2L, RSM5853P, RSQ015N06TR, RSQ020N03FRA, RSQ020N03TR, RSQ025P03FRA, RSQ025P03TR