RSL020P03FRA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSL020P03FRA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm

Тип корпуса: TUMT6

Аналог (замена) для RSL020P03FRA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSL020P03FRA даташит

 ..1. Size:939K  rohm
 rsl020p03fra.pdf pdf_icon

RSL020P03FRA

RSL020P03FRA RSL020P03 Transistors AEC-Q101 Qualified 4V Drive Pch MOSFET RSL020P03FRA RSL020P03 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) High speed switching. Applications Abbreviated symbol SL Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) Package Taping Type Code TR Basic ordering unit (pi

 5.1. Size:340K  rohm
 rsl020p03tr.pdf pdf_icon

RSL020P03FRA

RSL020P03 Transistors 4V Drive Pch MOS FET RSL020P03 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET TUMT6 2.0 0.85Max. 1.3 0.77 0.65 0.65 Features (6) (5) (4) 1) Low On-resistance. 0 0.1 2) High speed switching. (1) (2) (3) 0.17 0.3 Applications Abbreviated symbol SL Switching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4) P

Другие IGBT... RSH070N05TB1, RSH070P05TB1, RSH090N03TB1, RSH100N03TB1, RSH110N03TB1, RSJ151P10, RSJ400N06FRA, RSJ400N10, IRF530, RSL020P03TR, RSM002P03T2L, RSM5853P, RSQ015N06TR, RSQ020N03FRA, RSQ020N03TR, RSQ025P03FRA, RSQ025P03TR