Справочник MOSFET. RSL020P03FRA

 

RSL020P03FRA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSL020P03FRA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TUMT6
 

 Аналог (замена) для RSL020P03FRA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSL020P03FRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:939K  rohm
 rsl020p03fra.pdf pdf_icon

RSL020P03FRA

RSL020P03FRARSL020P03TransistorsAEC-Q101 Qualified4V Drive Pch MOSFETRSL020P03FRARSL020P03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) High speed switching. ApplicationsAbbreviated symbol : SLSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingType Code TRBasic ordering unit (pi

 5.1. Size:340K  rohm
 rsl020p03tr.pdf pdf_icon

RSL020P03FRA

RSL020P03 Transistors 4V Drive Pch MOS FET RSL020P03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TUMT62.00.85Max. 1.30.770.65 0.65 Features (6) (5) (4)1) Low On-resistance. 0~0.12) High speed switching. (1) (2) (3) 0.170.3 ApplicationsAbbreviated symbol : SLSwitching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4)P

Другие MOSFET... RSH070N05TB1 , RSH070P05TB1 , RSH090N03TB1 , RSH100N03TB1 , RSH110N03TB1 , RSJ151P10 , RSJ400N06FRA , RSJ400N10 , AO4407 , RSL020P03TR , RSM002P03T2L , RSM5853P , RSQ015N06TR , RSQ020N03FRA , RSQ020N03TR , RSQ025P03FRA , RSQ025P03TR .

History: S85N042RP | BSC014N04LSI | CMNDM8001

 

 
Back to Top

 


 
.