Справочник MOSFET. RSL020P03FRA

 

RSL020P03FRA MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RSL020P03FRA
   Маркировка: SL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TUMT6

 Аналог (замена) для RSL020P03FRA

 

 

RSL020P03FRA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:939K  rohm
 rsl020p03fra.pdf

RSL020P03FRA RSL020P03FRA

RSL020P03FRARSL020P03TransistorsAEC-Q101 Qualified4V Drive Pch MOSFETRSL020P03FRARSL020P03 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon P-channel MOSFET TUMT6 Features 1) Low On-resistance. 2) High speed switching. ApplicationsAbbreviated symbol : SLSwitching Packaging specifications Inner circuit(6) (5) (4)Package TapingType Code TRBasic ordering unit (pi

 5.1. Size:340K  rohm
 rsl020p03tr.pdf

RSL020P03FRA RSL020P03FRA

RSL020P03 Transistors 4V Drive Pch MOS FET RSL020P03 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET TUMT62.00.85Max. 1.30.770.65 0.65 Features (6) (5) (4)1) Low On-resistance. 0~0.12) High speed switching. (1) (2) (3) 0.170.3 ApplicationsAbbreviated symbol : SLSwitching Packaging specifications Inner circuit (6) (5) (4)P

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top