RSM5853P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSM5853P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: CF1206-8

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RSM5853P datasheet

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RSM5853P

E L E C T R O N I C RSM5853P P-Channel 20Volt (D-S) MOSFET With Schottky Diode Application -These miniature surface mount MOSFET utilize a high cell density trench CF 1206-8 TOP VIEW process to provide low RDS(on) and to provide low RDS(on) and to ensure A 1 8 K minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC A 2 7 K converters and power management in

Otros transistores... RSH100N03TB1, RSH110N03TB1, RSJ151P10, RSJ400N06FRA, RSJ400N10, RSL020P03FRA, RSL020P03TR, RSM002P03T2L, AON7506, RSQ015N06TR, RSQ020N03FRA, RSQ020N03TR, RSQ025P03FRA, RSQ025P03TR, RSQ030P03TR, RSQ035N03FRA, RSQ035N03TR