Справочник MOSFET. RSM5853P

 

RSM5853P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSM5853P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: CF1206-8
 

 Аналог (замена) для RSM5853P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSM5853P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  sirectsemi
 rsm5853p.pdf pdf_icon

RSM5853P

E L E C T R O N I C RSM5853PP-Channel 20Volt (D-S) MOSFET With Schottky Diode Application -These miniature surface mount MOSFET utilize a high cell density trench CF 1206-8 TOP VIEWprocess to provide low RDS(on) and to provide low RDS(on) and to ensure A 1 8 Kminimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC A 2 7 Kconverters and power management in

Другие MOSFET... RSH100N03TB1 , RSH110N03TB1 , RSJ151P10 , RSJ400N06FRA , RSJ400N10 , RSL020P03FRA , RSL020P03TR , RSM002P03T2L , IRFP250 , RSQ015N06TR , RSQ020N03FRA , RSQ020N03TR , RSQ025P03FRA , RSQ025P03TR , RSQ030P03TR , RSQ035N03FRA , RSQ035N03TR .

History: CEF730G | LND06R079 | HM32N20F | BUK7Y7R6-40E | BL4N80-D | PHB129NQ04LT | GP1M009A070X

 

 
Back to Top

 


 
.