Справочник MOSFET. RSM5853P

 

RSM5853P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSM5853P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: CF1206-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RSM5853P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  sirectsemi
 rsm5853p.pdf pdf_icon

RSM5853P

E L E C T R O N I C RSM5853PP-Channel 20Volt (D-S) MOSFET With Schottky Diode Application -These miniature surface mount MOSFET utilize a high cell density trench CF 1206-8 TOP VIEWprocess to provide low RDS(on) and to provide low RDS(on) and to ensure A 1 8 Kminimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC A 2 7 Kconverters and power management in

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SI1051X | ZXMN6A25GTA | IPD50R280CE | MTM24N50 | PJS6833 | NDT6N70 | 2SK242

 

 
Back to Top

 


 
.