RSM5853P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSM5853P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: CF1206-8

Аналог (замена) для RSM5853P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSM5853P даташит

 ..1. Size:201K  sirectsemi
 rsm5853p.pdf pdf_icon

RSM5853P

E L E C T R O N I C RSM5853P P-Channel 20Volt (D-S) MOSFET With Schottky Diode Application -These miniature surface mount MOSFET utilize a high cell density trench CF 1206-8 TOP VIEW process to provide low RDS(on) and to provide low RDS(on) and to ensure A 1 8 K minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC A 2 7 K converters and power management in

Другие IGBT... RSH100N03TB1, RSH110N03TB1, RSJ151P10, RSJ400N06FRA, RSJ400N10, RSL020P03FRA, RSL020P03TR, RSM002P03T2L, AON7506, RSQ015N06TR, RSQ020N03FRA, RSQ020N03TR, RSQ025P03FRA, RSQ025P03TR, RSQ030P03TR, RSQ035N03FRA, RSQ035N03TR