Справочник MOSFET. RSM5853P

 

RSM5853P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RSM5853P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: CF1206-8

 Аналог (замена) для RSM5853P

 

 

RSM5853P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  sirectsemi
 rsm5853p.pdf

RSM5853P RSM5853P

E L E C T R O N I C RSM5853PP-Channel 20Volt (D-S) MOSFET With Schottky Diode Application -These miniature surface mount MOSFET utilize a high cell density trench CF 1206-8 TOP VIEWprocess to provide low RDS(on) and to provide low RDS(on) and to ensure A 1 8 Kminimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC A 2 7 Kconverters and power management in

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top