RSR015P03TL Todos los transistores

 

RSR015P03TL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RSR015P03TL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.235 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT3
 

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RSR015P03TL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  rohm
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RSR015P03TL

 9.1. Size:1162K  rohm
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RSR015P03TL

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSR010N10 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETTSMT3Features (3)1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2)3) Small Surface Mount Package (TSMT3).Abbreviated symbol : ZJ ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(3)TypeCode TLBasic ordering

 9.2. Size:1110K  rohm
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RSR015P03TL

RSR010N10FHA Nch 100V 1A Power MOSFET DatasheetAEC-Q101 QualifiedlOutlineVDSS TSMT3 100V(3) RDS(on) (Max.)520mW(1) ID1.0APD1.0W(2) lFeatures lInner circuit(1) Gate 1) Low on - resistance.(2) Source 2) Built-in G-S Protection Diode.(3) Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT3).4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BO

Otros transistores... RSQ030P03TR , RSQ035N03FRA , RSQ035N03TR , RSQ035P03FRA , RSQ035P03TR , RSQ045N03FRA , RSQ045N03TR , RSR010N10FHA , 7N60 , RSR020N06TL , RSR020P03 , RSR020P03TL , RSR020P05 , RSR020P05FRA , RSR025N03FRA , RSR025N03TL , RSR025N05FRA .

History: AOW29S50 | UPA1792G

 

 
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