Справочник MOSFET. RSR015P03TL

 

RSR015P03TL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSR015P03TL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.235 Ohm
   Тип корпуса: TSMT3
 

 Аналог (замена) для RSR015P03TL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSR015P03TL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  rohm
 rsr015p03tl.pdf pdf_icon

RSR015P03TL

 9.1. Size:1162K  rohm
 rsr010n10.pdf pdf_icon

RSR015P03TL

Data Sheet4V Drive Nch MOSFET RSR010N10 Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFETTSMT3Features (3)1) Low on-resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.(1) (2)3) Small Surface Mount Package (TSMT3).Abbreviated symbol : ZJ ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuitPackage Taping(3)TypeCode TLBasic ordering

 9.2. Size:1110K  rohm
 rsr010n10fha.pdf pdf_icon

RSR015P03TL

RSR010N10FHA Nch 100V 1A Power MOSFET DatasheetAEC-Q101 QualifiedlOutlineVDSS TSMT3 100V(3) RDS(on) (Max.)520mW(1) ID1.0APD1.0W(2) lFeatures lInner circuit(1) Gate 1) Low on - resistance.(2) Source 2) Built-in G-S Protection Diode.(3) Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT3).4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant*1 ESD PROTECTION DIODE *2 BO

Другие MOSFET... RSQ030P03TR , RSQ035N03FRA , RSQ035N03TR , RSQ035P03FRA , RSQ035P03TR , RSQ045N03FRA , RSQ045N03TR , RSR010N10FHA , 7N60 , RSR020N06TL , RSR020P03 , RSR020P03TL , RSR020P05 , RSR020P05FRA , RSR025N03FRA , RSR025N03TL , RSR025N05FRA .

History: PSMN5R0-100PS | MMQ60R115PTH | IRF540ZSPBF | CMRDM3590 | VBE1638

 

 
Back to Top

 


 
.