RSR015P03TL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSR015P03TL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.235 Ohm

Тип корпуса: TSMT3

Аналог (замена) для RSR015P03TL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSR015P03TL даташит

 ..1. Size:241K  rohm
 rsr015p03tl.pdf pdf_icon

RSR015P03TL

 9.1. Size:1162K  rohm
 rsr010n10.pdf pdf_icon

RSR015P03TL

Data Sheet 4V Drive Nch MOSFET RSR010N10 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET TSMT3 Features (3) 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. (1) (2) 3) Small Surface Mount Package (TSMT3). Abbreviated symbol ZJ Application Switching Packaging specifications Inner circuit Package Taping (3) Type Code TL Basic ordering

 9.2. Size:1110K  rohm
 rsr010n10fha.pdf pdf_icon

RSR015P03TL

RSR010N10FHA Nch 100V 1A Power MOSFET Datasheet AEC-Q101 Qualified lOutline VDSS TSMT3 100V (3) RDS(on) (Max.) 520mW (1) ID 1.0A PD 1.0W (2) lFeatures lInner circuit (1) Gate 1) Low on - resistance. (2) Source 2) Built-in G-S Protection Diode. (3) Drain 3) Small Surface Mount Package (TSMT3). 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant *1 ESD PROTECTION DIODE *2 BO

Другие IGBT... RSQ030P03TR, RSQ035N03FRA, RSQ035N03TR, RSQ035P03FRA, RSQ035P03TR, RSQ045N03FRA, RSQ045N03TR, RSR010N10FHA, AO3407, RSR020N06TL, RSR020P03, RSR020P03TL, RSR020P05, RSR020P05FRA, RSR025N03FRA, RSR025N03TL, RSR025N05FRA