RSS085N05 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RSS085N05

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 45 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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RSS085N05 datasheet

 ..1. Size:119K  rohm
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RSS085N05

RSS085N05 Transistor 4V Drive Nch MOS FET RSS085N05 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel SOP8 5.0 MOS FET 1.75 0.4 (8) (5) Features 1) Built-in G-S Protection Diode. 2) Small and Surface Mount Package (SOP8). (1) (4) 0.2 1.27 1pin mark Applications Each lead has same dimensions Power switching , DC / DC converter, Inverter Packaging

 9.1. Size:563K  crhj
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RSS085N05

CRST085N15N, CRSS082N15N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 150V, 7m , 120A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 150V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 7m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100

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