Справочник MOSFET. RSS085N05

 

RSS085N05 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSS085N05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 15.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RSS085N05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:119K  rohm
 rss085n05.pdf pdf_icon

RSS085N05

RSS085N05 Transistor 4V Drive Nch MOS FET RSS085N05 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel SOP85.0MOS FET 1.750.4(8) (5) Features 1) Built-in G-S Protection Diode. 2) Small and Surface Mount Package (SOP8). (1) (4)0.21.271pin mark Applications Each lead has same dimensionsPower switching , DC / DC converter, Inverter Packaging

 9.1. Size:563K  crhj
 crst085n15n crss082n15n.pdf pdf_icon

RSS085N05

CRST085N15N, CRSS082N15N() SkyMOS1 N-MOSFET 150V, 7m, 120AFeatures Product SummaryVDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 150V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)7m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteriaApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested100

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.