RSS085N05. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSS085N05

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для RSS085N05

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSS085N05 даташит

 ..1. Size:119K  rohm
 rss085n05.pdf pdf_icon

RSS085N05

RSS085N05 Transistor 4V Drive Nch MOS FET RSS085N05 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon N-channel SOP8 5.0 MOS FET 1.75 0.4 (8) (5) Features 1) Built-in G-S Protection Diode. 2) Small and Surface Mount Package (SOP8). (1) (4) 0.2 1.27 1pin mark Applications Each lead has same dimensions Power switching , DC / DC converter, Inverter Packaging

 9.1. Size:563K  crhj
 crst085n15n crss082n15n.pdf pdf_icon

RSS085N05

CRST085N15N, CRSS082N15N ( ) SkyMOS1 N-MOSFET 150V, 7m , 120A Features Product Summary VDS Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS1 technology 150V Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 7m Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 120A Qualified according to JEDEC criteria Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100

Другие IGBT... RSS060P05FRA, RSS065N03FU6TB, RSS065N03TB, RSS065N06FU6TB, RSS070N05, RSS070P05, RSS075P03FU6TB, RSS075P03TB, RU7088R, RSS090N03FU6TB, RSS090P03FU6TB, RSS090P03TB, RSS095N05, RSS100N03FU6TB, RSS100N03TB, RSS105N03FU6TB, RSS105N03TB