RSY200N05TL Todos los transistores

 

RSY200N05TL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RSY200N05TL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TCPT3
 

 Búsqueda de reemplazo de RSY200N05TL MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RSY200N05TL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  rohm
rsy200n05tl.pdf pdf_icon

RSY200N05TL

RSY200N05 | MOSFETs | Transistors | Discrete Semiconductors | ROHM CO., LTD. Page 1 of 1Site Search Site Map6 HOME, Products > Discrete Semiconductors > Transistors > MOSFETs > RSY200N05 ICs Transistors4V Drive Nch MOSFET Discrete 2010.07.21 RSY200N05 Semiconductors The industry's highest efficiency MOSFETs for Transistors DC/DC power supplies: Design Model SPICE Data

Otros transistores... RSS120N03FU6TB , RSS120N03TB , RSS125N03FU6TB , RSS125N03TB , RSS130N03FU6TB , RSS130N03TB , RSS140N03TB , RSU002P03T106 , IRF1404 , RT1A040ZPTR , RT1A050ZPTR , RT3J11M , RT3J22M , RT3J33M , RT3J55M , RT3K11M , RT3K22M .

History: IXFX120N30P3 | SI4646DY

 

 
Back to Top

 


 
.