RSY200N05TL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RSY200N05TL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 45 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Encapsulados: TCPT3
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RSY200N05TL datasheet
rsy200n05tl.pdf
RSY200N05 MOSFETs Transistors Discrete Semiconductors ROHM CO., LTD. Page 1 of 1 Site Search Site Map 6 HOME, Products > Discrete Semiconductors > Transistors > MOSFETs > RSY200N05 ICs Transistors 4V Drive Nch MOSFET Discrete 2010.07.21 RSY200N05 Semiconductors The industry's highest efficiency MOSFETs for Transistors DC/DC power supplies Design Model SPICE Data
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History: SQ4483EEY
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