Справочник MOSFET. RSY200N05TL

 

RSY200N05TL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RSY200N05TL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TCPT3

 Аналог (замена) для RSY200N05TL

 

 

RSY200N05TL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  rohm
 rsy200n05tl.pdf

RSY200N05TL

RSY200N05 | MOSFETs | Transistors | Discrete Semiconductors | ROHM CO., LTD. Page 1 of 1Site Search Site Map6 HOME, Products > Discrete Semiconductors > Transistors > MOSFETs > RSY200N05 ICs Transistors4V Drive Nch MOSFET Discrete 2010.07.21 RSY200N05 Semiconductors The industry's highest efficiency MOSFETs for Transistors DC/DC power supplies: Design Model SPICE Data

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top