Справочник MOSFET. RSY200N05TL

 

RSY200N05TL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RSY200N05TL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TCPT3
 

 Аналог (замена) для RSY200N05TL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSY200N05TL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  rohm
 rsy200n05tl.pdf pdf_icon

RSY200N05TL

RSY200N05 | MOSFETs | Transistors | Discrete Semiconductors | ROHM CO., LTD. Page 1 of 1Site Search Site Map6 HOME, Products > Discrete Semiconductors > Transistors > MOSFETs > RSY200N05 ICs Transistors4V Drive Nch MOSFET Discrete 2010.07.21 RSY200N05 Semiconductors The industry's highest efficiency MOSFETs for Transistors DC/DC power supplies: Design Model SPICE Data

Другие MOSFET... RSS120N03FU6TB , RSS120N03TB , RSS125N03FU6TB , RSS125N03TB , RSS130N03FU6TB , RSS130N03TB , RSS140N03TB , RSU002P03T106 , IRF1404 , RT1A040ZPTR , RT1A050ZPTR , RT3J11M , RT3J22M , RT3J33M , RT3J55M , RT3K11M , RT3K22M .

History: RFP5P12 | IRFY430CM | IRF820ASPBF

 

 
Back to Top

 


 
.