RSY200N05TL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RSY200N05TL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 45 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TCPT3

Аналог (замена) для RSY200N05TL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RSY200N05TL даташит

 ..1. Size:284K  rohm
 rsy200n05tl.pdf pdf_icon

RSY200N05TL

RSY200N05 MOSFETs Transistors Discrete Semiconductors ROHM CO., LTD. Page 1 of 1 Site Search Site Map 6 HOME, Products > Discrete Semiconductors > Transistors > MOSFETs > RSY200N05 ICs Transistors 4V Drive Nch MOSFET Discrete 2010.07.21 RSY200N05 Semiconductors The industry's highest efficiency MOSFETs for Transistors DC/DC power supplies Design Model SPICE Data

Другие IGBT... RSS120N03FU6TB, RSS120N03TB, RSS125N03FU6TB, RSS125N03TB, RSS130N03FU6TB, RSS130N03TB, RSS140N03TB, RSU002P03T106, IRF1404, RT1A040ZPTR, RT1A050ZPTR, RT3J11M, RT3J22M, RT3J33M, RT3J55M, RT3K11M, RT3K22M