RT3J55M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RT3J55M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm

Encapsulados: SC-88

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RT3J55M datasheet

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RT3J55M

RT3J55M Composite Transistor For high speed switching Silicon P-channel MOSFET DESCRIPTION RT3J55M is a composite transistor built with two INJ0011AX OUTLINE DRAWING Unit mm chips in SC-88 package. 2.1 FEATURE 0.425 1.25 0.425 Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Drive voltage -4V Low on Resistance.

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