RT3J55M Todos los transistores

 

RT3J55M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RT3J55M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-88
 

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RT3J55M Datasheet (PDF)

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RT3J55M

RT3J55MComposite Transistor For high speed switchingSilicon P-channel MOSFETDESCRIPTION RT3J55M is a composite transistor built with two INJ0011AX OUTLINE DRAWING Unitmm chips in SC-88 package. 2.1FEATURE 0.425 1.25 0.425Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Drive voltage -4V Low on Resistance.

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History: HGN035N10AL | STD7N80K5

 

 
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