Справочник MOSFET. RT3J55M

 

RT3J55M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RT3J55M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: SC-88
 

 Аналог (замена) для RT3J55M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RT3J55M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  isahaya
 rt3j55m.pdf pdf_icon

RT3J55M

RT3J55MComposite Transistor For high speed switchingSilicon P-channel MOSFETDESCRIPTION RT3J55M is a composite transistor built with two INJ0011AX OUTLINE DRAWING Unitmm chips in SC-88 package. 2.1FEATURE 0.425 1.25 0.425Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Drive voltage -4V Low on Resistance.

Другие MOSFET... RSS140N03TB , RSU002P03T106 , RSY200N05TL , RT1A040ZPTR , RT1A050ZPTR , RT3J11M , RT3J22M , RT3J33M , AON6414A , RT3K11M , RT3K22M , RT3K33M , RT3K44M , RT3K66M , RT3U11M , RT3U22M , RT3U33M .

 

 
Back to Top

 


 
.