RT3J55M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3J55M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm

Тип корпуса: SC-88

Аналог (замена) для RT3J55M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RT3J55M даташит

 ..1. Size:145K  isahaya
 rt3j55m.pdf pdf_icon

RT3J55M

RT3J55M Composite Transistor For high speed switching Silicon P-channel MOSFET DESCRIPTION RT3J55M is a composite transistor built with two INJ0011AX OUTLINE DRAWING Unit mm chips in SC-88 package. 2.1 FEATURE 0.425 1.25 0.425 Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Drive voltage -4V Low on Resistance.

Другие IGBT... RSS140N03TB, RSU002P03T106, RSY200N05TL, RT1A040ZPTR, RT1A050ZPTR, RT3J11M, RT3J22M, RT3J33M, IRFB4227, RT3K11M, RT3K22M, RT3K33M, RT3K44M, RT3K66M, RT3U11M, RT3U22M, RT3U33M