RT3K11M Todos los transistores

 

RT3K11M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RT3K11M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-88
 

 Búsqueda de reemplazo de RT3K11M MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

RT3K11M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:147K  isahaya
 rt3k11m.pdf pdf_icon

RT3K11M

RT3K11MComposite Transistor For high speed switchingSilicon N-channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3K11M is a composite transistor built with two INK0001AX chips in SC-88 package. 2.1 1.25 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Vth is low, and drive by low voltage is possible. Vth

Otros transistores... RSU002P03T106 , RSY200N05TL , RT1A040ZPTR , RT1A050ZPTR , RT3J11M , RT3J22M , RT3J33M , RT3J55M , P55NF06 , RT3K22M , RT3K33M , RT3K44M , RT3K66M , RT3U11M , RT3U22M , RT3U33M , RTE002P02TL .

History: HGN035N10AL | STD7N80K5

 

 
Back to Top

 


 
.