RT3K11M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RT3K11M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm

Encapsulados: SC-88

 Búsqueda de reemplazo de RT3K11M MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

RT3K11M datasheet

 ..1. Size:147K  isahaya
 rt3k11m.pdf pdf_icon

RT3K11M

RT3K11M Composite Transistor For high speed switching Silicon N-channel MOSFET DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3K11M is a composite transistor built with two INK0001AX chips in SC-88 package. 2.1 1.25 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Vth is low, and drive by low voltage is possible. Vth

Otros transistores... RSU002P03T106, RSY200N05TL, RT1A040ZPTR, RT1A050ZPTR, RT3J11M, RT3J22M, RT3J33M, RT3J55M, IRF3710, RT3K22M, RT3K33M, RT3K44M, RT3K66M, RT3U11M, RT3U22M, RT3U33M, RTE002P02TL