Справочник MOSFET. RT3K11M

 

RT3K11M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RT3K11M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: SC-88
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RT3K11M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:147K  isahaya
 rt3k11m.pdf pdf_icon

RT3K11M

RT3K11MComposite Transistor For high speed switchingSilicon N-channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3K11M is a composite transistor built with two INK0001AX chips in SC-88 package. 2.1 1.25 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Vth is low, and drive by low voltage is possible. Vth

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.