Справочник MOSFET. RT3K11M

 

RT3K11M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RT3K11M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: SC-88
 

 Аналог (замена) для RT3K11M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RT3K11M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:147K  isahaya
 rt3k11m.pdf pdf_icon

RT3K11M

RT3K11MComposite Transistor For high speed switchingSilicon N-channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3K11M is a composite transistor built with two INK0001AX chips in SC-88 package. 2.1 1.25 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Vth is low, and drive by low voltage is possible. Vth

Другие MOSFET... RSU002P03T106 , RSY200N05TL , RT1A040ZPTR , RT1A050ZPTR , RT3J11M , RT3J22M , RT3J33M , RT3J55M , P55NF06 , RT3K22M , RT3K33M , RT3K44M , RT3K66M , RT3U11M , RT3U22M , RT3U33M , RTE002P02TL .

History: OSG90R250HF | RZQ045P01TR | TSG10N06AT | CEB1195 | LSB65R125HT | H02N60SI | RTQ045N03TR

 

 
Back to Top

 


 
.