RT3K11M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3K11M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm

Тип корпуса: SC-88

Аналог (замена) для RT3K11M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RT3K11M даташит

 ..1. Size:147K  isahaya
 rt3k11m.pdf pdf_icon

RT3K11M

RT3K11M Composite Transistor For high speed switching Silicon N-channel MOSFET DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3K11M is a composite transistor built with two INK0001AX chips in SC-88 package. 2.1 1.25 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Vth is low, and drive by low voltage is possible. Vth

Другие IGBT... RSU002P03T106, RSY200N05TL, RT1A040ZPTR, RT1A050ZPTR, RT3J11M, RT3J22M, RT3J33M, RT3J55M, IRF3710, RT3K22M, RT3K33M, RT3K44M, RT3K66M, RT3U11M, RT3U22M, RT3U33M, RTE002P02TL