RT3K66M Todos los transistores

 

RT3K66M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RT3K66M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 7 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-88
     - Selección de transistores por parámetros

 

RT3K66M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  isahaya
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RT3K66M

RT3K66MComposite Transistor For high speed switchingSilicon N-channel MOSFETDESCRIPTION RT3K66M is a composite transistor built with two INK0012AX OUTLINE DRAWING Unitmm chips in SC-88 package. 2.1FEATURE 0.425 1.25 0.425Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Drive voltage 4V Low on Resistance.

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IXTU2N80P | SVSP14N60TD2 | MEE7816AS-G

 

 
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