Справочник MOSFET. RT3K66M

 

RT3K66M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RT3K66M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: SC-88
 

 Аналог (замена) для RT3K66M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RT3K66M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  isahaya
 rt3k66m.pdf pdf_icon

RT3K66M

RT3K66MComposite Transistor For high speed switchingSilicon N-channel MOSFETDESCRIPTION RT3K66M is a composite transistor built with two INK0012AX OUTLINE DRAWING Unitmm chips in SC-88 package. 2.1FEATURE 0.425 1.25 0.425Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Drive voltage 4V Low on Resistance.

Другие MOSFET... RT3J11M , RT3J22M , RT3J33M , RT3J55M , RT3K11M , RT3K22M , RT3K33M , RT3K44M , IRF9540 , RT3U11M , RT3U22M , RT3U33M , RTE002P02TL , RTF010P02 , RTF010P02TL , RTF015N03TL , RTF015P02TL .

History: DMP2066LSD | HUF75321S3 | DMP2130L | TTG65N10A | SM4601CSK

 

 
Back to Top

 


 
.