RT3K66M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3K66M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: SC-88

Аналог (замена) для RT3K66M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RT3K66M даташит

 ..1. Size:143K  isahaya
 rt3k66m.pdf pdf_icon

RT3K66M

RT3K66M Composite Transistor For high speed switching Silicon N-channel MOSFET DESCRIPTION RT3K66M is a composite transistor built with two INK0012AX OUTLINE DRAWING Unit mm chips in SC-88 package. 2.1 FEATURE 0.425 1.25 0.425 Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Drive voltage 4V Low on Resistance.

Другие IGBT... RT3J11M, RT3J22M, RT3J33M, RT3J55M, RT3K11M, RT3K22M, RT3K33M, RT3K44M, 2N7000, RT3U11M, RT3U22M, RT3U33M, RTE002P02TL, RTF010P02, RTF010P02TL, RTF015N03TL, RTF015P02TL