RT3U11M MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RT3U11M

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm

Encapsulados: SC-88

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RT3U11M datasheet

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RT3U11M

PRELIMINARY RT3U11M Composite Transistor For high speed switching Silicon N-channel + P-channel MOSFET DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3U11M is a composite transistor built with INK0001AX and INJ0001AX chips in SC-88 package. 2.1 1.25 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Vth is low, and drive

Otros transistores... RT3J22M, RT3J33M, RT3J55M, RT3K11M, RT3K22M, RT3K33M, RT3K44M, RT3K66M, P55NF06, RT3U22M, RT3U33M, RTE002P02TL, RTF010P02, RTF010P02TL, RTF015N03TL, RTF015P02TL, RTF020P02