Справочник MOSFET. RT3U11M

 

RT3U11M Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RT3U11M
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: SC-88
 

 Аналог (замена) для RT3U11M

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RT3U11M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  isahaya
 rt3u11m.pdf pdf_icon

RT3U11M

PRELIMINARY RT3U11MComposite Transistor For high speed switchingSilicon N-channel + P-channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unitmm RT3U11M is a composite transistor built withINK0001AX and INJ0001AX chips in SC-88 package. 2.1 1.25 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Vth is low, and drive

Другие MOSFET... RT3J22M , RT3J33M , RT3J55M , RT3K11M , RT3K22M , RT3K33M , RT3K44M , RT3K66M , IRFB4115 , RT3U22M , RT3U33M , RTE002P02TL , RTF010P02 , RTF010P02TL , RTF015N03TL , RTF015P02TL , RTF020P02 .

History: SGSP311 | PSMN013-100PS | CHM8933AJGP | PA110NK | NTMFS08N003C | NCEP30T19G | PMK35EP

 

 
Back to Top

 


 
.