RT3U11M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RT3U11M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm

Тип корпуса: SC-88

Аналог (замена) для RT3U11M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RT3U11M даташит

 ..1. Size:169K  isahaya
 rt3u11m.pdf pdf_icon

RT3U11M

PRELIMINARY RT3U11M Composite Transistor For high speed switching Silicon N-channel + P-channel MOSFET DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit mm RT3U11M is a composite transistor built with INK0001AX and INJ0001AX chips in SC-88 package. 2.1 1.25 FEATURE Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. Vth is low, and drive

Другие IGBT... RT3J22M, RT3J33M, RT3J55M, RT3K11M, RT3K22M, RT3K33M, RT3K44M, RT3K66M, P55NF06, RT3U22M, RT3U33M, RTE002P02TL, RTF010P02, RTF010P02TL, RTF015N03TL, RTF015P02TL, RTF020P02