RTE002P02TL Todos los transistores

 

RTE002P02TL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RTE002P02TL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: EMT3
 

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RTE002P02TL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  rohm
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RTE002P02TL

RTE002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTE002P02 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET EMT31.6 0.70.550.3 Features ( )31) Low On-resistance. ( ) ( )2 12) Small package (EMT3). 0.2 0.20.150.5 0.53) 2.5V drive. 1.0(1)Source(2)Gate Applications (3)Drain Abbreviated symbol : TWSwitching Package specifications

 5.1. Size:54K  rohm
 rte002p02.pdf pdf_icon

RTE002P02TL

RTE002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTE002P02 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET EMT31.6 0.70.550.3 Features ( )31) Low On-resistance. ( ) ( )2 12) Small package (EMT3). 0.2 0.20.150.5 0.53) 2.5V drive. 1.0(1)Source(2)Gate Applications (3)Drain Abbreviated symbol : TWSwitching Package specifications

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History: HGN035N10AL | STD7N80K5

 

 
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