Справочник MOSFET. RTE002P02TL

 

RTE002P02TL Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RTE002P02TL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: EMT3
 

 Аналог (замена) для RTE002P02TL

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RTE002P02TL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  rohm
 rte002p02tl.pdf pdf_icon

RTE002P02TL

RTE002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTE002P02 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET EMT31.6 0.70.550.3 Features ( )31) Low On-resistance. ( ) ( )2 12) Small package (EMT3). 0.2 0.20.150.5 0.53) 2.5V drive. 1.0(1)Source(2)Gate Applications (3)Drain Abbreviated symbol : TWSwitching Package specifications

 5.1. Size:54K  rohm
 rte002p02.pdf pdf_icon

RTE002P02TL

RTE002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTE002P02 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET EMT31.6 0.70.550.3 Features ( )31) Low On-resistance. ( ) ( )2 12) Small package (EMT3). 0.2 0.20.150.5 0.53) 2.5V drive. 1.0(1)Source(2)Gate Applications (3)Drain Abbreviated symbol : TWSwitching Package specifications

Другие MOSFET... RT3K11M , RT3K22M , RT3K33M , RT3K44M , RT3K66M , RT3U11M , RT3U22M , RT3U33M , AON7408 , RTF010P02 , RTF010P02TL , RTF015N03TL , RTF015P02TL , RTF020P02 , RTF020P02TL , RTF025N03FRA , RTF025N03TL .

History: NTMFS4H01N | IPB60R160C6 | BUK9M15-40H | HCP65R130 | LSB60R030HT | IRF520NL | SE80100GA

 

 
Back to Top

 


 
.