Справочник MOSFET. RTE002P02TL

 

RTE002P02TL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RTE002P02TL
   Маркировка: TW
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: EMT3

 Аналог (замена) для RTE002P02TL

 

 

RTE002P02TL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  rohm
 rte002p02tl.pdf

RTE002P02TL RTE002P02TL

RTE002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTE002P02 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET EMT31.6 0.70.550.3 Features ( )31) Low On-resistance. ( ) ( )2 12) Small package (EMT3). 0.2 0.20.150.5 0.53) 2.5V drive. 1.0(1)Source(2)Gate Applications (3)Drain Abbreviated symbol : TWSwitching Package specifications

 5.1. Size:54K  rohm
 rte002p02.pdf

RTE002P02TL RTE002P02TL

RTE002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTE002P02 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET EMT31.6 0.70.550.3 Features ( )31) Low On-resistance. ( ) ( )2 12) Small package (EMT3). 0.2 0.20.150.5 0.53) 2.5V drive. 1.0(1)Source(2)Gate Applications (3)Drain Abbreviated symbol : TWSwitching Package specifications

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top