RTE002P02TL. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RTE002P02TL

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: EMT3

Аналог (замена) для RTE002P02TL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RTE002P02TL даташит

 ..1. Size:52K  rohm
 rte002p02tl.pdf pdf_icon

RTE002P02TL

RTE002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTE002P02 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET EMT3 1.6 0.7 0.55 0.3 Features ( ) 3 1) Low On-resistance. ( ) ( ) 2 1 2) Small package (EMT3). 0.2 0.2 0.15 0.5 0.5 3) 2.5V drive. 1.0 (1)Source (2)Gate Applications (3)Drain Abbreviated symbol TW Switching Package specifications

 5.1. Size:54K  rohm
 rte002p02.pdf pdf_icon

RTE002P02TL

RTE002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTE002P02 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET EMT3 1.6 0.7 0.55 0.3 Features ( ) 3 1) Low On-resistance. ( ) ( ) 2 1 2) Small package (EMT3). 0.2 0.2 0.15 0.5 0.5 3) 2.5V drive. 1.0 (1)Source (2)Gate Applications (3)Drain Abbreviated symbol TW Switching Package specifications

Другие IGBT... RT3K11M, RT3K22M, RT3K33M, RT3K44M, RT3K66M, RT3U11M, RT3U22M, RT3U33M, IRFP250N, RTF010P02, RTF010P02TL, RTF015N03TL, RTF015P02TL, RTF020P02, RTF020P02TL, RTF025N03FRA, RTF025N03TL