RTM002P02T2L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RTM002P02T2L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: VMT3

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RTM002P02T2L datasheet

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RTM002P02T2L

RTM002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTM002P02 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET VMT3 1.2 0.32 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) Small package (VMT3). (1)(2) 0.22 0.13 0.4 0.4 0.5 3) 2.5V drive. 0.8 (1)Gate (2)Source (3)Drain Abbreviated symbol TW Applications Switching Packaging specifications Inner circuit

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RTM002P02T2L

RTM002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTM002P02 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET VMT3 1.2 0.32 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) Small package (VMT3). (1)(2) 0.22 0.13 0.4 0.4 0.5 3) 2.5V drive. 0.8 (1)Gate (2)Source (3)Drain Abbreviated symbol TW Applications Switching Packaging specifications Inner circuit

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