Справочник MOSFET. RTM002P02T2L

 

RTM002P02T2L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RTM002P02T2L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: VMT3
 

 Аналог (замена) для RTM002P02T2L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RTM002P02T2L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  rohm
 rtm002p02t2l.pdf pdf_icon

RTM002P02T2L

RTM002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTM002P02 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET VMT31.20.32 Features (3)1) Low On-resistance. 2) Small package (VMT3). (1)(2)0.220.130.4 0.4 0.53) 2.5V drive. 0.8(1)Gate(2)Source(3)Drain Abbreviated symbol : TW ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit

 5.1. Size:75K  rohm
 rtm002p02.pdf pdf_icon

RTM002P02T2L

RTM002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTM002P02 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET VMT31.20.32 Features (3)1) Low On-resistance. 2) Small package (VMT3). (1)(2)0.220.130.4 0.4 0.53) 2.5V drive. 0.8(1)Gate(2)Source(3)Drain Abbreviated symbol : TW ApplicationsSwitching Packaging specifications Inner circuit

Другие MOSFET... RTF020P02TL , RTF025N03FRA , RTF025N03TL , RTL020P02FRA , RTL020P02TR , RTL030P02TR , RTL035N03FRA , RTL035N03TR , AON7410 , RTP315N10F7 , RTQ020N03FRA , RTQ020N03TR , RTQ020N05TR , RTQ025P02FRA , RTQ025P02TR , RTQ030P02TR , RTQ035N03FRA .

History: DAMH450N100 | HGD120N10AL

 

 
Back to Top

 


 
.