RTM002P02T2L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RTM002P02T2L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: VMT3

Аналог (замена) для RTM002P02T2L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RTM002P02T2L даташит

 ..1. Size:73K  rohm
 rtm002p02t2l.pdf pdf_icon

RTM002P02T2L

RTM002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTM002P02 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET VMT3 1.2 0.32 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) Small package (VMT3). (1)(2) 0.22 0.13 0.4 0.4 0.5 3) 2.5V drive. 0.8 (1)Gate (2)Source (3)Drain Abbreviated symbol TW Applications Switching Packaging specifications Inner circuit

 5.1. Size:75K  rohm
 rtm002p02.pdf pdf_icon

RTM002P02T2L

RTM002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTM002P02 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET VMT3 1.2 0.32 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) Small package (VMT3). (1)(2) 0.22 0.13 0.4 0.4 0.5 3) 2.5V drive. 0.8 (1)Gate (2)Source (3)Drain Abbreviated symbol TW Applications Switching Packaging specifications Inner circuit

Другие IGBT... RTF020P02TL, RTF025N03FRA, RTF025N03TL, RTL020P02FRA, RTL020P02TR, RTL030P02TR, RTL035N03FRA, RTL035N03TR, SPP20N60C3, RTP315N10F7, RTQ020N03FRA, RTQ020N03TR, RTQ020N05TR, RTQ025P02FRA, RTQ025P02TR, RTQ030P02TR, RTQ035N03FRA