RTP315N10F7 Todos los transistores

 

RTP315N10F7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RTP315N10F7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 315 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 108 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0027 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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RTP315N10F7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:816K  st
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RTP315N10F7

RTP315N10F7Aerospace and defense N-channel 100 V, 2.3 m typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packageDatasheet - target specificationFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeTABRTP315N10F7 100 V 2.7 m 180 A Intended for use in aerospace and defense applications32 Dedicated traceability and part marking 1 Production parts approval documents av

Otros transistores... RTF025N03FRA , RTF025N03TL , RTL020P02FRA , RTL020P02TR , RTL030P02TR , RTL035N03FRA , RTL035N03TR , RTM002P02T2L , IRF9540N , RTQ020N03FRA , RTQ020N03TR , RTQ020N05TR , RTQ025P02FRA , RTQ025P02TR , RTQ030P02TR , RTQ035N03FRA , RTQ035N03TR .

History: PP2G10AS | LNH04R165

 

 
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