RTP315N10F7 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RTP315N10F7

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 315 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 108 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0027 Ohm

Encapsulados: TO-220

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RTP315N10F7 datasheet

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RTP315N10F7

RTP315N10F7 Aerospace and defense N-channel 100 V, 2.3 m typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - target specification Features VDS RDS(on) max. ID Order code TAB RTP315N10F7 100 V 2.7 m 180 A Intended for use in aerospace and defense applications 3 2 Dedicated traceability and part marking 1 Production parts approval documents av

Otros transistores... RTF025N03FRA, RTF025N03TL, RTL020P02FRA, RTL020P02TR, RTL030P02TR, RTL035N03FRA, RTL035N03TR, RTM002P02T2L, SKD502T, RTQ020N03FRA, RTQ020N03TR, RTQ020N05TR, RTQ025P02FRA, RTQ025P02TR, RTQ030P02TR, RTQ035N03FRA, RTQ035N03TR