RTP315N10F7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RTP315N10F7
   Código: R315N10F7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 315 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 180 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 180 nC
   Tiempo de subida (tr): 108 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 3500 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0027 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

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RTP315N10F7 Datasheet (PDF)

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rtp315n10f7.pdf

RTP315N10F7Aerospace and defense N-channel 100 V, 2.3 m typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packageDatasheet - target specificationFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeTABRTP315N10F7 100 V 2.7 m 180 A Intended for use in aerospace and defense applications32 Dedicated traceability and part marking 1 Production parts approval documents av

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