Справочник MOSFET. RTP315N10F7

 

RTP315N10F7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RTP315N10F7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 315 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 108 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для RTP315N10F7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RTP315N10F7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:816K  st
 rtp315n10f7.pdf pdf_icon

RTP315N10F7

RTP315N10F7Aerospace and defense N-channel 100 V, 2.3 m typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packageDatasheet - target specificationFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeTABRTP315N10F7 100 V 2.7 m 180 A Intended for use in aerospace and defense applications32 Dedicated traceability and part marking 1 Production parts approval documents av

Другие MOSFET... RTF025N03FRA , RTF025N03TL , RTL020P02FRA , RTL020P02TR , RTL030P02TR , RTL035N03FRA , RTL035N03TR , RTM002P02T2L , IRF9540N , RTQ020N03FRA , RTQ020N03TR , RTQ020N05TR , RTQ025P02FRA , RTQ025P02TR , RTQ030P02TR , RTQ035N03FRA , RTQ035N03TR .

History: RTF025N03FRA | PP2G10AS | LNH04R165

 

 
Back to Top

 


 
.