RTP315N10F7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RTP315N10F7
Маркировка: R315N10F7
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 315 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 180 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 180 nC
Время нарастания (tr): 108 ns
Выходная емкость (Cd): 3500 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0027 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для RTP315N10F7
RTP315N10F7 Datasheet (PDF)
..1. Size:816K st
rtp315n10f7.pdf
rtp315n10f7.pdf
RTP315N10F7Aerospace and defense N-channel 100 V, 2.3 m typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packageDatasheet - target specificationFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeTABRTP315N10F7 100 V 2.7 m 180 A Intended for use in aerospace and defense applications32 Dedicated traceability and part marking 1 Production parts approval documents av
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: LPN2010C
