Справочник MOSFET. RTP315N10F7

 

RTP315N10F7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: RTP315N10F7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 315 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 108 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3500 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для RTP315N10F7

 

 

RTP315N10F7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:816K  st
 rtp315n10f7.pdf

RTP315N10F7 RTP315N10F7

RTP315N10F7Aerospace and defense N-channel 100 V, 2.3 m typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 packageDatasheet - target specificationFeaturesVDS RDS(on) max. IDOrder codeTABRTP315N10F7 100 V 2.7 m 180 A Intended for use in aerospace and defense applications32 Dedicated traceability and part marking 1 Production parts approval documents av

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top