RTP315N10F7. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RTP315N10F7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 315 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 108 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для RTP315N10F7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RTP315N10F7 даташит

 ..1. Size:816K  st
 rtp315n10f7.pdf pdf_icon

RTP315N10F7

RTP315N10F7 Aerospace and defense N-channel 100 V, 2.3 m typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - target specification Features VDS RDS(on) max. ID Order code TAB RTP315N10F7 100 V 2.7 m 180 A Intended for use in aerospace and defense applications 3 2 Dedicated traceability and part marking 1 Production parts approval documents av

Другие IGBT... RTF025N03FRA, RTF025N03TL, RTL020P02FRA, RTL020P02TR, RTL030P02TR, RTL035N03FRA, RTL035N03TR, RTM002P02T2L, SKD502T, RTQ020N03FRA, RTQ020N03TR, RTQ020N05TR, RTQ025P02FRA, RTQ025P02TR, RTQ030P02TR, RTQ035N03FRA, RTQ035N03TR