RTU002P02T106 Todos los transistores

 

RTU002P02T106 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RTU002P02T106

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: UMT3

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RTU002P02T106 datasheet

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RTU002P02T106

RTU002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTU002P02 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET UMT3 2.0 0.9 0.3 0.2 0.7 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (2) (1) 0.65 0.65 0.15 1.3 (1) Source Each lead has same dimensions Applications (2) Gate Switching Abbreviated symbol TW (3) Drain Packa

 5.1. Size:48K  rohm
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RTU002P02T106

RTU002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTU002P02 Structure External dimensions (Unit mm) Silicon P-channel MOS FET UMT3 2.0 0.9 0.3 0.2 0.7 Features (3) 1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (2) (1) 0.65 0.65 0.15 1.3 (1) Source Each lead has same dimensions Applications (2) Gate Switching Abbreviated symbol TW (3) Drain Packa

Otros transistores... RTR025P02TL , RTR030N05FRA , RTR030N05TL , RTR030P02 , RTR030P02FHA , RTR030P02TL , RTR040N03FRA , RTR040N03TL , 2N60 , RV1C001ZP , RV1C002UN , RV2C001ZP , RV2C002UN , RV2C010UN , RV3C001ZP , RV3C002UN , RVQ040N05TR .

History: 4N60L-TF2-T | ZXMN20B28K

 

 

 

 

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