Справочник MOSFET. RTU002P02T106

 

RTU002P02T106 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RTU002P02T106
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: UMT3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RTU002P02T106 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:52K  rohm
 rtu002p02t106.pdf pdf_icon

RTU002P02T106

RTU002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTU002P02 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET UMT3 2.0 0.90.3 0.2 0.7 Features (3)1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (2) (1)0.65 0.650.151.3(1) SourceEach lead has same dimensions Applications(2) GateSwitching Abbreviated symbol : TW(3) Drain Packa

 5.1. Size:48K  rohm
 rtu002p02.pdf pdf_icon

RTU002P02T106

RTU002P02 Transistors 2.5V Drive Pch MOS FET RTU002P02 Structure External dimensions (Unit : mm) Silicon P-channel MOS FET UMT3 2.0 0.90.3 0.2 0.7 Features (3)1) Low On-resistance. 2) Low voltage drive (2.5V drive). (2) (1)0.65 0.650.151.3(1) SourceEach lead has same dimensions Applications(2) GateSwitching Abbreviated symbol : TW(3) Drain Packa

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.